GaNウェーハファウンドリ市場：5GとEV革命により2032年までに31.2億米ドルへ拡大

 


グローバルGaN（窒化ガリウム）ウェーハファウンドリ市場は、2024年に17億8,000万米ドルと評価され、2032年には31億2,000万米ドルに達すると予測されています。Semiconductor Insightが発表した最新レポートによると、予測期間中に年平均成長率（CAGR）8.2%で着実に成長する見通しです。

GaNウェーハファウンドリは、従来のシリコンと比較して優れた効率、高電圧耐性、および熱性能を備えたワイドバンドギャップ材料である窒化ガリウムを用いた半導体製造を専門としています。これらのファウンドリは、ピュアプレイ（専業）型とIDM（垂直統合型デバイスメーカー）型の2つの主要モデルで運営され、高度なパワーデバイス、RFコンポーネント、および光電子システムの製造を支えています。

5Gと電気自動車（EV）：市場成長の主要なエンジン

レポートでは、5Gインフラの急速な拡大と電気自動車（EV）の普及を市場成長の主要な原動力として特定しています。

  • 5G基地局: 世界的な5G展開が700万基地局を超えると予想される中、高周波でエネルギー効率の高いGaNベースのRFパワーアンプ需要が急増しています。

  • 自動車の電化: 2030年まで年率約29%の成長が見込まれるEV市場において、オンボードチャージャーやDC-DCコンバータにGaNを採用することで、エネルギー損失の低減と効率向上が図られています。

データセンターとHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング）からの新興需要

通信や自動車セクターに加え、データセンターの省電力化への貢献も注目されています。

  • エネルギー損失の低減: GaNベースの電源ソリューションは、エネルギー損失を最大30%削減可能です。

  • AIワークロードのサポート: 電力密度とシステム効率の向上により、AI駆動のワークロードやハイパースケール・コンピューティングを支える重要な技術となっています。

市場セグメンテーション：パワーエレクトロニクスが主導

セグメント分析：

  • タイプ別

    • ピュアプレイ・ファウンドリ、IDMファウンドリ

  • アプリケーション別

    • 消費者向けエレクトロニクス（主要シェア）、産業用、自動車（最速成長）、HPC、その他

  • ウェーハサイズ別

    • 150mm、200mm（主要トレンド）、その他

  • 基板技術別

    • GaN-on-Silicon（主流）、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire

競争環境：ファウンドリリーダーがGaN能力を拡大

市場は適度に集約されており、大手半導体企業は生産能力の拡大と先端プロセス技術への投資を強化しています。

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) (Taiwan)

  • Samsung Foundry (South Korea)

  • United Microelectronics Corporation (UMC) (Taiwan)

  • GlobalFoundries (U.S.)

  • Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) (China)

  • Sanan Optoelectronics (SANAN) (China)

  • Vanguard International Semiconductor (VIS) (Taiwan)

  • Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) (Taiwan)

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